（Se,S）을 기본으로한 비정질박막의 Relief형 격자형성과 광특성연구
A Study on the Relief-type Grating Formation and Optical Properties of Amorphous(Se, S)-based Thin Films
- 발행기관 광운대학교
- 발행년도 0
- 학위수여년월 2017. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 전자재료공학과
- UCI I804:11012-200000196627
- 식별자(기타) 000000000636
- 본문언어 한국어
- 저작권 광운대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
본 논문에서는 비정질 As-Se-S-Ge계 박막의 투과도, 흡수계수, 광학에너지 갭 그리고 광흑화 현상과 같은 광특성을 고찰하였다. 이러한 특성을 이용하여 비정질 박막의 회절격자를 얻었다. 회절패턴은 488.0[nm]의 아르곤 레이저에 의해 기록되었고, 동시에 632.8[nm]의 헤륨네온 레이저로 기록된 격자를 재생하였다. 또한, 회절효율에 영향을 미치는 박막두께, 조성비, 노출시간, 그리고 노출세기와 같은 파라미터에 대해서도 연구되었다. 비정질 As-Se-S-Ge박막에서 화학적 에칭과정동안에 회절효율이 측정되었으며, 동시 에칭 검출 기술을 이용함으로써 As-Se-S-Ge 박막의 relief형 격자를 얻었다. (격자간격; 0.67μm). 18% 의 높은 회절효율을 As40Se15S35Ge10박막의 relief형 격자에서 얻었으며, 이 값은 에칭전의 약 4배 향상된 값이다.
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